Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
1

Growth of silicon carbide crystals by vapour-liquid-solid (VLS) mechanism in the sublimation method

Рік:
1973
Мова:
english
Файл:
PDF, 684 KB
english, 1973
2

General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes

Рік:
1981
Мова:
english
Файл:
PDF, 401 KB
english, 1981
4

Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals

Рік:
1978
Мова:
english
Файл:
PDF, 365 KB
english, 1978
5

Study of silicon carbide epitaxial growth kinetics in the SiC-C system

Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 350 KB
english, 1979
6

Investigations of kinetic and thermal conditions of silicon carbide epitaxial layer growth from the vapour phase

Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 604 KB
english, 1979
7

Investigation of phase transformations and polytype stability of ß-SiC

Рік:
1977
Мова:
english
Файл:
PDF, 517 KB
english, 1977
18

Investigation of nitrogen solubility process in silicon carbide

Рік:
1979
Мова:
english
Файл:
PDF, 274 KB
english, 1979
21

Silicon carbide epitaxial growth from the vapour phase and properties of epitaxial layers

Рік:
1976
Мова:
english
Файл:
PDF, 321 KB
english, 1976
22

The solution of a problem of non-stationary filtration using the method of integral relations

Рік:
1963
Мова:
english
Файл:
PDF, 279 KB
english, 1963
23

Solution of a non-linear problem of two-phase flow in a porous medium

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 416 KB
english, 1966
24

Progress in controlling the growth of polytypic crystals

Рік:
1983
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.87 MB
english, 1983
25

Defect structure of 4H silicon carbide ingots

Рік:
2011
Мова:
english
Файл:
PDF, 415 KB
english, 2011
26

Stress and misoriented area formation under large silicon carbide boule growth

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 227 KB
english, 1999
28

Production of and physical processes in n-p-CdSiAs2 structures

Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 417 KB
english, 1989
29

Photoelectric anisotropy of II–IV–V2 ternary semiconductors

Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.42 MB
english, 1989
30

The contact of metal with silicon carbide: Schottky barrier height in relation to SiC polytype

Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 35 KB
english, 2001
32

Growth of 4H-polytype silicon carbide ingots on (10( ar 1 )0) seeds

Рік:
2008
Мова:
english
Файл:
PDF, 389 KB
english, 2008
33

Optimization of structural perfection of 4H-polytype silicon carbide ingots

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
english, 2009
34

Investigation of heterojunctions in the system SnO2-CdGeP2

Рік:
1989
Мова:
english
Файл:
PDF, 360 KB
english, 1989
35

Photoelectric parameters of the heterojunctions ITO-CdGeP2

Рік:
1988
Мова:
english
Файл:
PDF, 435 KB
english, 1988
41

Procedural status of victim in criminal proceedings

Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 470 KB
english, 2015
42

Polytype inclusions and polytype stability in silicon-carbide crystals

Рік:
2016
Мова:
english
Файл:
PDF, 586 KB
english, 2016
44

Geração de energia por pipas

Рік:
2018
Файл:
PDF, 11.89 MB
2018
45

Thermodynamic Analysis of the Growth of Silicon Carbide Ingots in a Reducing Atmosphere

Рік:
2018
Мова:
english
Файл:
PDF, 948 KB
english, 2018